Ricarica bidirezionale, Onsemi aggiunge al portafoglio nuovi semiconduttori SiC

Roma – Il produttore statunitense di semiconduttori Onsemi ha annunciato di aver aggiunto al suo portafoglio nove nuove versioni dei suoi chip PIM EliteSiC al carburo di silicio che consentono la ricarica bidirezionale per caricabatterie ultraveloci per veicoli elettrici e sistemi di accumulo di energia. Secondo l’azienda, le soluzioni basate sul carburo di silicio possono aiutare a ridurre il costo dei moduli di potenza IGBT, poiché sono più efficienti. Sono dotati di semplici meccanismi di raffreddamento per contribuire a ridurre le dimensioni dei moduli del 40 per cento e il peso del 52 per cento rispetto alle tradizionali soluzioni IGBT basate su silicio. Tutti i moduli utilizzano la tecnologia MOSFET SiC Gen3 M3S. Rispetto ai semiconduttori puramente a base di silicio, i MOSFET SiC commutano in modo più efficiente, riducendo direttamente il consumo energetico, secondo la società. I moduli EliteSiC Power Integrated Module (PIM) supportano una potenza di uscita scalabile da 25 a 100 kilowatt, “consentendo più piattaforme di sistemi di ricarica rapida e di accumulo di energia, inclusa la ricarica bidirezionale”, scrive la società nella sua dichiarazione. Il portafoglio in crescita di Osemi offre “ai progettisti la flessibilità di scegliere il PIM giusto per le fasi di conversione di potenza nelle loro applicazioni di sistemi di ricarica rapida o di accumulo di energia”, afferma l’azienda. Inoltre, metterà a disposizione dei progettisti il ​​suo generatore di modelli di simulazione di circuiti elettrici lineari a tratti (PLECS) e le simulazioni applicative per contribuire ad accelerare il ciclo di progettazione. (30science.com)